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英特尔+软银联手剑指HBM

美国芯片巨头英特尔已与日本科技和投资巨头软银携手，合作开发一种堆叠式DRAM解决方案，以替代高带宽存储器（HBM）。据报道，双方已合资成立新公司Saimemory共同打造原型产品，该项目将利用英特尔的芯片堆叠技术以及···

存储双雄，分岔路口

目前有两家公司高度专注于 DRAM 和 NAND 的生产——美光科技和 SK 海力士。两家公司都在企业级 SSD 和高带宽内存领域展开激烈竞争，但都通过早期庞大的业务扩张，以复杂而间接的方式，在两个市场中保持着各···

英伟达降级版H20或用GDDR取代HBM

在英伟达H20受到最新出口限制之后，其正在开发该芯片的降级版本，以寻求在有限政策空间内继续开拓中国市场，最早可能在7月发布。降级版H20性能预计会有较为明显的下调，尤其是在内存容量方面，据TrendForce报道英伟达···

长江存储主导混合键合专利，韩存储巨头三星和SK海力士压力山大

随着存储器巨头加速布局HBM4和多层NAND产品，混合键合技术越来越受到关注。根据 ZDNet 的一份报告，韩国三星电子和SK海力士在关键专利方面仍然落后。该报告强调，三星和SK海力士披露的混合键合相关专利相对···

撑不住, SK海力士DRAM涨12%

全球存储器市场近期出现显著价格上涨，消费级存储器产品价格持续攀升。 根据最新市场动态，SK海力士消费级DRAM颗粒价格已上涨约12%，落实先前市场的涨价传言。美商威腾旗下品牌SanDisk则于先前发布NAND Flash价格上调···