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英特尔+软银联手剑指HBM

美国芯片巨头英特尔已与日本科技和投资巨头软银携手，合作开发一种堆叠式DRAM解决方案，以替代高带宽存储器（HBM）。据报道，双方已合资成立新公司Saimemory共同打造原型产品，该项目将利用英特尔的芯片堆叠技术以及···

英伟达降级版H20或用GDDR取代HBM

在英伟达H20受到最新出口限制之后，其正在开发该芯片的降级版本，以寻求在有限政策空间内继续开拓中国市场，最早可能在7月发布。降级版H20性能预计会有较为明显的下调，尤其是在内存容量方面，据TrendForce报道英伟达···

三星代工再遭弃，救命稻草在哪里？

由于三星尖端制程良率偏低，以及美国特朗普政府关税政策影响，处理器大厂AMD可能已经取消了三星4nm制程订单，进而转向了向台积电美国亚利桑那州晶圆厂下单。这一决定标志着三星代工业务继失去高通、英伟达等科技巨头···